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碳化硅研磨深加工
碳化硅研磨深加工
2021-09-29T14:09:23+00:00
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 知乎
2023年4月28日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。 1切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶 2022年4月2日 碳化硅晶片的超精密加工 ，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：切割、研磨、粗抛和超精密抛光四个步骤。 步：切割 切割是将碳化硅晶棒沿着一定的方 一块“完美”的碳化硅晶片,少不了这4个加工步骤2014年7月17日 碳化硅微粉的工艺流程是十分先进的，采用的是目前国际流行的深加工技术，对于物料能够进行更高的磨。碳化硅研磨深加工技术如此先进，也就无怪乎其有着十 碳化硅微粉研磨深加工的工艺流程分析2021年12月16日 目前报道的碳化硅切片加工技术主要包括固结、游离磨料切片、激光切割、冷分离和电火花切片，不同技术对应的性能指标如表1所示，其中往复式金刚石固结磨料多线切割是最常应用于加工碳化硅单晶的 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎2022年1月21日 碳化硅衬底加工难点 碳化硅衬底制备过程主要存在以下难点： 一、对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300℃以上； 二、长晶速度慢，7 天的时间大约可 碳化硅晶片加工过程及难点 知乎
【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
2023年1月17日 碳化硅 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。 将高纯硅粉和高纯 2015年3月7日 本文主要就碳化硅粉磨加工工艺进行研究，以实现提高碳化硅综合经济效益的目的。 现在碳化硅行业主要粉磨设备有：湿式卧式球磨机、立式球磨机、干式卧式球 高产碳化硅粉磨加工工艺及主要设备红星机器2020年11月4日 2、碳化硅的抛光加工研究 目前碳化硅的抛光方法主要有：机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光（CMP）、电化学抛光（ECMP）、催化剂辅助抛光或催化辅助 一文看碳化硅材料研究现状 知乎2022年10月28日 碳化硅单晶衬底研磨液 研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。 研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。 粗磨主要 碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案 百家号2019年9月2日 碳化硅的物理化学性能 二、加工工艺研究 SiC的硬度仅次于金刚石，可以作为砂轮等磨具的磨料，因此对其进行机械加工主要是利用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光，其中金刚石砂轮磨削加工的效率最高，是 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。 衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸碳 2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎2018年8月21日 经反应烧结后的4m碳化硅反射镜毛坯，是不是离你眼中的“镜子”还比较远？然而，大口径反射镜镜坯制造和反射镜加工技术一直被美国、法国、德国等少数西方国家掌握，我国始终不具备自主制造4米量级大口径反射镜能力。中科院完成目前世界上较大口径碳化硅单体反射镜研制，这一 2022年8月6日 1、 碳化硅行业区域竞争 中国碳化硅企业分布主要集中在华东地区，在西部甘肃、宁夏等地也形成了一定的聚集效应。 目前江苏地区的企业最多，超过1200家企业，河南、宁夏等地碳化硅企业通常超过1000家。 从整体规模来看，碳化硅企业分布较为广泛，企 洞察2022：中国碳化硅行业竞争格局及市场份额 腾讯网2022年10月21日 铝基碳化硅复合材料的两组分（铝合金基体和碳化硅颗粒增强相）之间的硬度和塑性等性能差异巨大，在常规加工中伴随着塑性去除和脆性断裂两种材料去除方式，因此往往发热严重而且表面缺陷和亚表面损伤非常严重。 AlSiC复合材料一般是铸造法或粉末冶金法等制备 ，需要进一步的机械加工达到 铝基碳化硅加工难度大的原因是什么？ 知乎
如何用最小的成本做出最多的碳化硅涂层？ 哔哩哔哩
2021年7月11日 碳化硅涂层是指采用物理或化学气相沉积、喷涂等方法在零件表面制备SiC涂层的方法。 其实，说白了，就是把砂，用特殊方法粘接起来。 而且因为后来的了解，碳化硅是有的砂纸的原料。 想必大家都知道砂纸是什么样的，也估计有不少人像我一 2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎2021年1月4日 碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。 碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。国内碳化硅产业链材料2022年3月11日 放大：200x 应对措施： 1浮雕主要发生于抛光阶段，研磨后的样品质量要高，给抛光提供好的基础。 2抛光布对样品的平整度有显著影响，低回复性抛光布要比高回复性抛光布造成的浮雕效果轻。 3抛光 研磨抛光常见的缺陷及应对措施 知乎2022年3月18日 以市值来看，碳化硅概念的市值最高的 上市公司 为三安光电，其次是晶盛机电和 时代电气 。 碳化硅概念龙头股可关注：晶盛机电、 天岳先进 、露笑科技、三安光电、 东尼电子 、天通股份、凤凰光学、 华润微 、天富能源等。 三安光电表示该公司在长沙 A股的碳化硅龙头是哪家? 知乎
【半导体】碳化硅晶片的磨抛工艺方案 知乎
2023年6月19日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。1切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的 2023年3月6日 只有经过良好的CMP加工才可以将外延片恢复至与原衬底相当的品质，利用时才能生长较好的外延。 以上就是天域半导体提出的碳化硅外延片去除外延再生衬底方案，该方案能够加工更高效、精确更高的去除外延层，保留衬底厚度，并提高CMP的加工效率 天域半导体提出碳化硅外延片的去除外延再生衬底方案 知乎2020年8月14日 相信做这一行的都知道 碳化硅陶瓷 是一种很硬的材料，并且碳化硅具有良好的 耐磨性 ， 耐腐蚀性 、耐高温、耐磨损、还有优异的化学稳定性能。 所以加工起来也是较为困难的吧。 前不久我们厂里接到了好几个加工碳化硅陶瓷的单子，加工起来特别难，还 有没有能加工碳化硅陶瓷的加工厂？ 知乎2021年6月8日 碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。 碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 碳化硅（SiC）材料是功率 2020年12月7日 这种加工方法使用金刚石砂轮在鑫腾辉数控铝碳化硅专用机床上对工件进行切削加工 ，具有磨削加工中多刃切削的特点 ，又同时具有和铣加工相似的加工路线，可以用于曲面、孔 、槽的加工，在获得较高加工效率的同时，又能保证加工表面质量。 3 超声 铝碳化硅加工方法 知乎
碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 转载自：信熹资本Part I 简介01 什么是碳化硅纯碳化硅（SiC）是无色透明的晶体，又名莫桑石（Moissanite）, 高品质莫桑石的火彩好于钻石。天然碳化硅非常罕见，仅出现在陨石坑内，常见碳化硅主要通过人工合成得到。碳化硅又叫金刚砂，具有优良的热力学和电化学性能。2022年3月17日 碳化硅研磨粉研磨工艺如下所述： 原料一破碎一碳化硅专用磨粉机一磁选一超声波筛分一质量检查一包装。对于碳化硅制粉企业来说，碳化硅研磨粉研磨工艺采用无污染密封式加工不仅能够减少环境污染，还能有效减少资源的浪费。碳化硅磨粉机生产碳化硅研磨粉研磨工艺介绍 学粉体2021年11月24日 3 碳化硅衬底技术壁垒高，处于产业链核心位 31 碳化硅衬底生产流程与硅基类似，但是难度大幅度增加 碳化硅衬底的制作流程一般包括原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、晶片研磨、 抛光、清洗等环节。SiC 衬底——产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展 知乎2020年9月9日 碳化硅加工工艺流程一、碳化硅的发展史：1893发表了个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互反应，从而生成碳化硅，到1925年卡普伦登公司，又宣布研制成功绿碳化硅。1碳化硅加工工艺流程图 豆丁网2022年12月15日 环宇数控9月在互动平台上表示，公司作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材料的磨削和抛光等工序。 深科达也表示，公司正在研发的芯片划片机可以应用于碳化硅。产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
碳化硅：核心优势、产业链及相关公司深度梳理【慧博
2022年9月6日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，根据科锐和应用材料公司官网数据显示，相较于硅基功率器件，碳化硅基MOSFET尺寸可以减少为同电压硅基MOSFET的十分之 2022年4月11日 立方碳化硅的性质与作用，纳米碳化硅粉的颜色与尺寸。 碳化硅是什么？ 立方碳化硅的性质。 立方碳化硅又名βSiC，属立方晶系（金刚石晶型），其晶体的等轴结构特点决定了βSiC具有比αSiC（黑碳化硅和绿碳化硅）好的自然球度和自锐性，因而在精密研 立方碳化硅的性质与作用，纳米碳化硅粉的颜色与尺寸。 知乎2021年12月15日 ②绿碳化硅含SiC99％以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。 此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～016微米一次加工到Ra004～002微米。什么是碳化硅？及用途 知乎2023年4月28日 2研磨 研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。 常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案磨料金刚石sic网易订阅2018年3月2日 深加工、高附加值的碳化硅制品是行业未来转型方向 目前，《中国制造2025》以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业，国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、通信芯片等领域的应用开始陆续加大投资，碳化硅行业 碳化硅行业发展现状分析 深加工、高附加值成行业转型方向
SIC外延漫谈 知乎
2021年5月24日 来源：IN Semi 目前所有的碳化硅器件基本上都是在外延上实现的，外延环节是产业链的中间环节，首先，器件的设计对外延的质量性能要求高影响非常大，同时外延的质量也受到晶体和衬底加工的影响，所以SIC外延环节对产业链的整体发展起到非常关键的作 2020年10月15日 背面研磨 (Back Grinding)决定晶圆的厚度 2020年10月15日 经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨（Back Grinding）开始后端处理。 背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间 背面研磨(Back Grinding)决定晶圆的厚度 SK hynix Newsroom2020年12月25日 碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。 碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。国内碳化硅产业链！电子工程专辑2023年3月28日 碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、 切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节 ， 其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节 碳化硅衬底市场群雄逐鹿 碳化硅衬底制备环节流程 知乎2020年4月17日 切割之后的晶园要求切割面要求平整，表面要求无滑道、 无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑等。 其加工流程为：外形整理、切片、倒角、研磨以及抛光等。 下文将分别针对晶棒的切片流程进行详细描述： 一、外形整理 将晶棒的籽晶部分、肩部、尾部 【小知识】芯片制造01之晶圆加工 知乎
[初探半导体产业]一文搞懂"衬底"“外延”的区别和联系 知乎
2022年8月12日 就第三代半导体器件而言，这类半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底。SiC外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。高电压应用的碳化硅器件对于外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数提出新的要 2022年10月28日 碳化硅单晶衬底抛光液 经传统研磨工艺，使用微小粒径的金刚石或碳化硼研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，晶片表面的平面度大幅改善，但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案磨具磨料磨库网碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网2022年5月18日 功率碳化硅（SiC）专利全景分析2022版 据麦姆斯咨询介绍，在电动汽车（EV）应用碳化硅（SiC）技术的推动下，SiC功率器件市场正在快速增长。 2021年，SiC功率器件市场规模超过了10亿美元，市场领导者主要来自欧洲（意法半导体、英飞凌）、美国（Wolfspeed 功率碳化硅（SiC）专利全景分析2022版 知乎2017年3月15日 磨损、表面完整性、切屑与缺陷形成机理、加工温度、仿真模拟及特种与复合加工技术等方面进行分析与总结，以便 更全面地了解碳化硅增强铝基复合材料的切削加工研究进展。关键词：碳化硅；铝基复合材料；刀具磨损；复合加工；切削力；表面完整性碳化硅增强铝基复合材料切削加工研究进展 chinatool
SiC行业深度报告：SiC东风已来腾讯新闻
2023年8月22日 SiC衬底加工精度直接影响器件性能，要求SiC晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤。SiC单晶的加工过程主要分 为切片、研磨和抛光，其中切割是SiC衬底加工的道工序，对后续衬底外延以及晶圆制造至关重要。 SiC的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆材料，切割2017年5月18日 在碳化硅粉体加工领域，我们不断遇到有朋友找碳化硅研磨球，然而却很少见。 4月底，在陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心，我有幸见到到了全球唯一量产的β碳化 硅微粉 （又叫立方碳化硅），和令人期待的碳化硅研磨球。全球唯一的β碳化硅微粉和你没有见过的碳化硅研磨球粉体 2020年6月22日 很多碳化硅生产企业对国家标准会有一些疑问，我们邀请到了白鸽磨料磨具有限公司标准化主管工程师、高级工程师陈德光先生来到我们的直播间，为大家讲解关于碳化硅国家标准的“那些事”。 《标准化法》诞生于1989年，在推行市场经济二十五年后 关于“碳化硅国家标准”的那些事，你了解多少？标准化2022年10月28日 碳化硅单晶衬底研磨液 研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。 研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。 粗磨主要 碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案 百家号2019年9月2日 碳化硅的物理化学性能 二、加工工艺研究 SiC的硬度仅次于金刚石，可以作为砂轮等磨具的磨料，因此对其进行机械加工主要是利用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光，其中金刚石砂轮磨削加工的效率最高，是 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。 衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸碳 2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎2018年8月21日 经反应烧结后的4m碳化硅反射镜毛坯，是不是离你眼中的“镜子”还比较远？然而，大口径反射镜镜坯制造和反射镜加工技术一直被美国、法国、德国等少数西方国家掌握，我国始终不具备自主制造4米量级大口径反射镜能力。中科院完成目前世界上较大口径碳化硅单体反射镜研制，这一 2022年8月6日 1、 碳化硅行业区域竞争 中国碳化硅企业分布主要集中在华东地区，在西部甘肃、宁夏等地也形成了一定的聚集效应。 目前江苏地区的企业最多，超过1200家企业，河南、宁夏等地碳化硅企业通常超过1000家。 从整体规模来看，碳化硅企业分布较为广泛，企 洞察2022：中国碳化硅行业竞争格局及市场份额 腾讯网2022年10月21日 铝基碳化硅复合材料的两组分（铝合金基体和碳化硅颗粒增强相）之间的硬度和塑性等性能差异巨大，在常规加工中伴随着塑性去除和脆性断裂两种材料去除方式，因此往往发热严重而且表面缺陷和亚表面损伤非常严重。 AlSiC复合材料一般是铸造法或粉末冶金法等制备 ，需要进一步的机械加工达到 铝基碳化硅加工难度大的原因是什么？ 知乎
如何用最小的成本做出最多的碳化硅涂层？ 哔哩哔哩
2021年7月11日 碳化硅涂层是指采用物理或化学气相沉积、喷涂等方法在零件表面制备SiC涂层的方法。 其实，说白了，就是把砂，用特殊方法粘接起来。 而且因为后来的了解，碳化硅是有的砂纸的原料。 想必大家都知道砂纸是什么样的，也估计有不少人像我一 2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎2021年1月4日 碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。 碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。国内碳化硅产业链材料